Optris熱像儀PI 08M型 光譜范圍 800 nm

optris® PI 08M 熱像儀概述：

optris® PI 08M 熱像儀的光譜范圍為 800 nm，可減少因未知或變化的發射率引起的測量誤差。這款紅外熱像儀結構緊湊，由于其光譜范圍以及 575 °C 到 1900 °C 的連續測量范圍，幾乎適用于所有的 NIR 和 CO2 激光加工應用。幀率為 1 kHz，并具有較高的光學分辨率，能夠最佳地適應不同的應用程序。

 

optris PI 08M 短波長紅外熱像儀可以很好地阻擋 800 nm 以上的輻射，非常適用于激光加工應用。光譜范圍為 800 nm，受到周圍環境影響的可能性較小，因此即使面對不斷變化的發射率，也可以確保測量精確。

 

技術參數：

光學分辨率：

FOV @ 382 x 288 px：

13° x 10° (f = 25 mm)

FOV @ 764 x 480 px：

26° x 16° (f = 25 mm)

熱敏性 (NETD)1)：

27 Hz、32 Hz 和 80 Hz 模式 < 2 K (1000 °C)

1 kHz 模式 < 3 K (1400 °C)

精度：讀數 ±1 %(<1500 °C)/ ±1.5 % (>1500 °C)

PC 接口：USB 2.0/USB 至 GigE (PoE) 轉換選件

高速模擬輸出（@ 1 kHz 模式）：

8x8 像素的 0–10 V 實時輸出（響應時間 1 ms）

標準過程接口 (PIF)：

0–10 V 輸入、數字輸入（最高 24 V）、0 – 10 V 輸出

可選工業過程接口 (PIF)：

2x 0-10 V 輸入、數字輸入（最高 24 V）、3x 0–10 V 輸出

3x 繼電器（0 – 30 V/400 mA），故障安全繼電器

電纜長度 (USB)：

1 m（標準）、5 m、10 m

5 m 和 10 m 電纜也可用作 HT 電纜 (180 °C)

 

特征：

特殊窄帶光譜響應為800 nm,

幾乎是所有 NIR 和 CO2激光加工

應用的理想之選

廣泛的測量范圍:

575C至1900C，無子范圍

高動態 CMOS 檢測器，分辨率高達

764x 480 像素

高達1kHz 幀率的快速處理

實時模擬輸出，響應時間為1ms

包括功能強大的軟件包和 SDK